ما هي أنواع الترانزستورات ؟وماهي استخامها؟

ترانزيستورات ثنائية وثلاثية ومنها الثايرستور والدياك والترياك والترانزيستورات المضيئة مثل الليد

أنواع المقاحل(الترانزستورات) ان نوعى المقحل يختلفان عن بعضهما اختلافا طفيفا في كيفية وضعهما في دائرة معينة فكل منها له ثلاثة اطراف تسمى في حالة المقحل ثنائى القطب بـ : القاعدة "Base " والباعث "Emitter " والمجمع "Collector " وبمرور تيار متغير في القاعدة سيظهر تأثره مجمعا في المجمع والباعث، وفي حالة مقحل تأثير المجال تسمى البوابة "Gate "، المنبع "Source "، المصب "Drain " ويتحكم الجهد على البوابة في فرق الجهد بين المنبع والمصب..

يمكن تقسيم المقاحل إلى عدة فئات حسب التقسيم::

1:- طبقا لشبه الموصل:

جرمانيومي- سليكوني – جاليومي – زرنخيى – كربيدي سليكوني

2:- طبقا للبناء:

BJT ثنائي القطب، MOSFET تأثير المجال، IGBT المقحل ذو البوابة المعزولة

3:- طبقا للقطبية:

NPN (س م س) المقحل من النوع السالب ويعنى منطقة من النوع السالب يليها منطقة من النوع الموجب يليها منطقة من النوع السالب

PNP (م س م) المقحل من النوع الموجب ويعنى منطقة من النوع الموجبة يليها منطقة من النوع السالب يليها منطقة من النوع الموجب

4:- طبقا لقدرة التشغيل:

صغير – متوسط – كبير

5:- طبقا لأقصى تردد تشغيل:

موجات راديوية أو موجات الميكرومترية ويعطى أقصى تردد وفعال بجهد الثقل ويرمز له بالرمز FT والذي ينتج نسبة تكبير مساوية للوحدة .

6:- طبقا للتطبيق المستخدم فيه:

مفتاح – متعدد الأغراض – صوتي عالي الجهد – زوجي متماثل – عالي نسبة التكبير

7:- طبقا للتغليف الفيزيائي:

ذو الثقب المعدني - ذو الثقب البلاستيكي – المحمل سطحيا – سلسلة شبكة الكور – مغير القدرة

8:- طبقا لمعامل التكبير (hfe):

لذلك فان مقحل معين يمكن أن يوصف بهذا الوصف (سليكوني – ثنائي القطب من النوع السالب – مغير للطاقة عالي التردد – مفتاح).

 

 

 

أنواع الترانزيستور:1- الترانزيستور ثنائي قطب نقطة الالتقاء (Bipolar Junction Transistor or BJT)ويقصد بذلك وجود نقطة الالتقاء بين كل نوع وهي كما قلنا بالميكرون وعلى جنبيها قطب (N) وقطب (P).و هو نوعين (NPN) و (PNP) ويختلفان في الأداء وطريقة التوصيل حيث أن الأول هو الأفضل و أخر ما اكتشف من ال (BJT) بعد اكتشاف نظرية ال (Convection current).2- الترانزيستور بـ تأثير المجال الكهربائي ( Field effect transistor or FET ) وهو أنواع لا تحصى ومنه تصنع كل الدوائر الرقمية من أمثلته (Enhancement NPN MOS FET) و (Junction PNP FET).

3- ترانزيستور MOSFET

4- ترانزيستور دارلينقتون

5- موسفت ثنائي البوابة dual gate MOSFET

6- ترانزيستور آحادي الوصلة Uniconnection transistor UJT 7- ترانزيستور الضوئي Photo Transistor - Phototransistor يتشابه عمله مع عمل الثنائي الضوئي Photo Diode .. والضوء هنا بمثابة حقن إشارة لقاعدة الترانزيستور مما يسمح بتشغيله

الاستخدام 

للتكبير وللفلترة والتشفير وفك التشفير

المقحل أو الترانزستور (بالإنكليزية: Transistor) (اختصار لكلمتي Transfer Resistor وتعني مقاومة النقل) وهي نبيطة تعتبر أحد أهم مكونات الأدوات الإلكترونية الحديثة مثل الحاسوب، اخترعه العلماء الأمريكيون (والتر براتن) و(جون باردين) و(وليام شكولي), هو بلورة من مادة شبه موصل مطعمة كالجرمانيوم أو السيلكون تحتوي على بلورة رقيقة جدا بحيث تكون المنطقة الوسطى منها شبه موصل موجب أو سالب وتسمى القاعدة بينما المنطقتان الخارجيتان من النوعية المخالفة وله قدرة كبيرة على تكبير الإشارات الالكترونية

للترانزيستور ثنائي القطب وصلتا م س وثلاثة أطراف. ويربط طرفان من هذه الأطراف، في العادة، الباعث والمجمِّع إلى دائرة خارجية، بينما يصل الطرف الثالث القاعدة بدائرة داخلية. لكن رفع الجهد المطبقة على القاعدة قليلا يؤدي إلى دخول عدد كبير من الإلكترونات إلى القاعدة عبر الوصلة المنحازة أماميا، ويتفاوت هذا العدد حسب قوة الجهد. ولأن منطقة القاعدة رقيقة جدا، يستطيع مصدر الفولتية في الدائرة الخارجية جذب الإلكترونات عبر الوصلة المنحازة عكسيا. ونتيجة لذلك يسري تيار قوي عبر الترانزيستور وعبر الدائرة الخارجية. وبهذه الطريقة يمكن التحكم في سريان تيار قوي عبر الدائرة الخارجية، بتزويد القاعدة بإشارة صغيرة.

محتويات

[أخف]

•1 أنواع ترانزستور

•2 بنية الترانزستور

•3 طريقة فحص الترانزستور

•4 الخصائص الفيزيائية

•5 استعمالاته

•6 اقرأ أيضا

 

أنواع ترانزستور

الترانزستور نوعان :

1. bipolar junction transistors: مقحل ثنائي القطب

2. field effect transistors :مقحل حقلي-

 

 

أنواع مختلفة من المقاحل (أبعادها بالسنتيمتر)

أحدث اختراعه ثورة كبيرة في صناعة الحاسوب إذ أدى إلى تقليل حجمه بدرجة كبيرة جدا وزيادة سرعته مقارنة بالجيل الأول من الحواسيب الذي كان يستخدم الصمامات أو الأنابيب المفرغة كعناصر للبناء والمكثفات والمقاومات. حيث وصل وزن الجيل الأول من الحواسيب إلى ما يزيد عن30 طنا[بحاجة لمصدر] في حين أن الجيل الثاني منه والذي استخدمت المقاحل فيه كعناصر بناء وصل حجمه إلى أقل من نصف كمبيوتر الجيل الأول بالإضافة إلى ذلك انخفاض درجة الحرارة الصادرة عنه مقارنة بنظيره من الجيل الأول.

بنية الترانزستور

يصنع الترانزستور من أشباه الموصلات مثل الجاليوم والجرمانيوم والكوارتز. ويتكون الترانزستور من قاعدة (Base) ويرمز لها بالرمز B وباعث (Emitter) ويرمز له بالرمز E و مجمع (Collector) ويرمز له بالرمز C، والترانزستورات العادية يوجد منها نوعان هما: (P N P):اذا كانت القاعده سالبة والمنطقتان الخارجيتان موجبتان. (N P N):اذا كانت القاعده موجبة والمنطقتان الخارجيتان سالبتان.

والفرق بينهما أن الأول تكون الالكترونات هي حاملات الشحنة الأغلبية بينما في الاخر تكون الفجوات (والفجوات هي عبارة عن ذرة السيليكون أو الجرمانيوم منزوع منها إلكترون من إلكترونات المدار الخارجي أو أكثر) هي حاملات الشحنة الأغلبية.[بحاجة لمصدر]

 

. طريقة فحص الترانزستور

للترانزستور ثلاثة أطراف كما هو معلوم يرمز لها ب C،B،E كما في هو مبين في الأعلى، والترانزستور (N P N) أو (P N P) هو عبارة عن ثنائيين معا وعند الفحص يجب إجراء ستة فحوص للتأكد من سلامة الترانزستور.

• أولها وثانيها: نضع مؤشر ساعة الفحص على الأوميتر ثم نضع سلك الساعة الموجب على الطرف الموجب لأحد الثنائيين (Base)والسلك السالب للساعة مع أحد طرفي الثنائيين (C) ويجب أن يعطينا مقاومة صغيرة، وهذا يسمى الفحص الأمامي، والفحص الخلفي يكون بنفس الطريقة على نفس طرفي الترانزستور ولكن بقلب أسلاك الساعة الموجب على السالب للترانزستور والسالب على الموجب فيعطينا مقاومة كبيرة (لانهائية).

• ثالثها ورابعها: فحص الطرف (B) مع الطرف الآخر (E) بنفس الآلية السابقة فحصا أماميا وآخر خلفيا وبنفس المحترزات السابقة.

• خامسها وسادسها: فحص طرفي الترانزستور من طرفيه (C) و(E) فحصا أماميا ثم قلب أسلاك الساعة على نفس الطرفين ليصبح فحصا خلفيا وليعطينا مقاومة كبيرة جدا (لانهائية) في كلا الفحصين.

الترانزستور( Transistor) (اختصاراً لكلمتي Transfer Resistor أي مُقاوِمُ النَقْل) وهي نبيطة تعتبر أحد أهم مكونات الأدوات الإلكترونية الحديثة 

مثل الحاسوب، اخترعه العلماء الأمريكيون (والتر براتن) و(جون باردين) و(وليام شوكلي)، هو بلورة من مادة شبه

موصل مطعمة بالجرمانيوم أو السيليكون تحتوي على بلورة رقيقة جدًا بحيث تكون المنطقة الوسطى منها شبه موصل موجب أو سالب وتسمى القاعدة بينهما المنطقتان الخارجيتان من النوعية المخالفة وله قدرة كبيرة على تكبير الإشارات الإلكترونية

.

 

 

 

 

للمقحل ثنائي القطب وصلتين من نوع "م س" وثلاثة أطراف. حيث يربط طرفان من الوصلتين "م س"، في العادة يربط الباعث والمجمِّع إلى دائرة خارجية، بينما يصل الطرف الثالث القاعدة بدائرة داخلية. لكن رفع الجهد المطبقة على القاعدة قليلا يؤدي إلى دخول عدد كبير من الإلكترونات إلى القاعدة عبر الوصلة المنحازة أماميا، ويتفاوت هذا العدد حسب قوة الجهد. ولأن منطقة القاعدة رقيقة جدا، يستطيع مصدر الفولتية في الدائرة الخارجية جذب الإلكترونات عبر الوصلة المنحازة عكسيا. ونتيجة لذلك يسري تيار قوي عبر الترانزيستور وعبر الدائرة الخارجية. وبهذه الطريقة يمكن التحكم في سريان تيار قوي عبر الدائرة الخارجية، بتزويد القاعدة بإشارة صغيرة.

استخدام

كان استخدام الترانزستور ثنائي القطب (Bipolar Junction Transistor) وإلى تختصر إلى (BJT) هو الأكثر شيوعا في الستينيات والسبعينيات من القرن الماضى ولكن مع ظهور الترانزستور ثنائى المجال (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) تقلص دور ثنائى القطب إلى الدوائر التناظرية مثل المكبرات البسيطة لكبر منطقة عمله الخطية " Linear Mode Operation" وسهولة تصنيعه وهناك العديد من الخصائص للترانزستور ثنائى المجال مثل استخدامه في الدوائر ذات القدرة المنخفضة باستخدام تقنية ال " C MOS " والتي تعنى استخدام المعدن والأكسيد وشبه الموصل المتكامل والتي تجعل مشاركة الدوائر الرقمية سهلة وهناك العديد من ترانزستورات تأثير المجال الحديثة وإلى تجمع بين الاستخدام في دوائر القدرات العالية والدوائر التناظرية المؤقتة " Clocked Analog circuit " مثل معادلات الجهود والمكبرات وناقلات القدرة والمحركات.  

استخدام الترانزستور كمكبر

صُمم المقحل ذو الباعث المتصل بالأرض لكى يستجيب إلى الإشارات الصغيرة الداخلة إلى القاعدة ، ويقوم بتكبير هذه الإشارات على المخرج عند المجمع، وهناك العديد من تكوينات لدوائر تقوم بالتكبير لها مميزات مختلفة سواء للتيار أو الجهد أو الاثنين معا بحسب المطلوب.

ففي بعض الهواتف المحمولة والتلفاز هناك العديد من المنتجات التي يدخل فيها المقحل كمكبر مثل مكبرات الصوت أو النقل الراديوي أو معالجة الإشارات وكانت أول دائرة مقحل ذات قدرات ضعيفه تصل إلى بعض الأجزاء من العشرة من الواط وتم تكبيرها. ومع التقدم ازدادت نسبة التكبير ونقائه تدريجيا عندما وجدت مقاحل أحسن وتم تقويم مواصفات المقحل ووصلت القدرات الآن إلى بضع المئات من الواط وبتكلفة قليلة.

الترانزستور كمفتاح

المقحل هو أكثر المفاتيح الإلكترونية على حد سواء في الدوائر ذات القدرة المنخفضة مثل البوابات المنطقية أو ذات القدرة العالية مثل مفاتيح مزودات الطاقة ومن أمثلة المفاتيح الخفيفة دوائر الباعث المتصل بالأرض ففي الشكل المقابل عندما يزداد جهد القاعدة يزداد التيار في المجمع وعلى الحمل (المقاومة) زيادة أسّية وبالتالي يقل الجهد في المجمع بسبب المقاومة وتكون المعادلة الحاكمة هي

V(Rc)=Ice*Rc

V(Rc)+V(ce)=Vcc

هو فرق الجهد على المقاومة VRc: حيث التيار المار في المجمع:Ice الجهد بين المجمع والباعث:Vce فلو أمكن خفض Vce للصفر (عملية التشبع التام) ولهذا فان (Ic) لن يزيد عن (Vcc/Rc) ،وكلمازاد التيار الداخل الى القاعدة فان المقحل يتجه للتشبع ،و من ثم يمكن اختيار التيار الداخل على القاعدة لجعل VCE مساويا تقريبا للصفر أو مساويا لقيمة Vcc (جهد المصدر - حالة القطع ) ويستخدم المقحل كمفتاح في الدوائر الرقمية حيث توجد القيم فقط فتح وغلق ولا تستخدم القيم بينهما. مقارنة بين الصمامات والمقاحل قبل وجود المقحل كانت الصمامات (Valves) أو انابيب التفريغ (Vacuum Tubes) هو المكون الوحيد في المعدات الإلكترونية ولكن بحلول المقحل أصبح هو الأكثر استخداما لما له العديد من المزايا... 1:- صغر الحجم والوزن والذي يؤدى إلى تطوير الدوائر الإلكترونية في أن تكون صغيرة جدا 2:- عمليات التصنيع الالية والتي تقلل التكلفة لكل وحدة مفردة 3:- الجهود الصغيرة التي يستطيع العمل عليها مما جعله صالح لتطبيقات الدوائر ذات البطاريات الصغيرة 4:- لا تحتاج إلى دورة إحماء لمسخنات الكاثود بعد تطبيق القدرة 5:- الاستهلاك الضئيل للطاقة والكفأة العالية في استخدام الطاقة

6:- الاعتمادية العالية والتحمل الفيزيائي

7:- طول العمر الافتراضي حيث يعمل بعضها إلى ما يصل إلى اكثر من خمسين عاما

8:- وجود النبائط المكملة وسهولة بناء الدوائر المتكاملة المتماثلة وهو الأمر المستحيل في حالة الصمامات

9:- عدم الحساسية للصدمات الميكانيكية والاهتزاز مما سهل حل هذه المشكلة مثلا في حالة الميكروفونات

أهلا يا محمود، 

الترانزستورات تحتوي كل لاستخدامات وتطبيقات عديدة ومختلفة أنواع: 

1.We يكون ثنائي القطب مفرق الترانزستور (BJT): BJTs يمكن أن تستخدم مكبرات الصوت، ومفاتيح ومؤشرات التذبذب. 

2.ُ ثاني نوع شائع هو حقل تأثير الترانزستور (المجالي): 

FET لديه العديد من الفئات: 

JFET، MOSFET، OFET وQFET وآخرين كثيرين 

FETS هي مناسبة لتحويل الإشارات التناظرية بين مسارات وهو ما يسمى مضاعفة. مع هذا المفهوم، يمكن للمرء بناء لوحة خلط الحالة الصلبة، على سبيل المثال. 

أنا لا أريد أن يتجاوز، لذلك لمزيد من المعلومات الاضافية وسوف أكون سعيدا لنرسل لك أي وقت.

Sorry for my bad arabic written:

 

أنواع المقاحل(الترانزستورات) ان نوعى المقحل يختلفان عن بعضهما اختلافا طفيفا في كيفية وضعهما في دائرة معينة فكل منها له ثلاثة اطراف تسمى في حالة المقحل ثنائى القطب بـ : القاعدة "Base " والباعث "Emitter " والمجمع "Collector " وبمرور تيار متغير في القاعدة سيظهر تأثره مجمعا في المجمع والباعث، وفي حالة مقحل تأثير المجال تسمى البوابة "Gate "، المنبع "Source "، المصب "Drain " ويتحكم الجهد على البوابة في فرق الجهد بين المنبع والمصب..

 

انواعه npn & pnp

وبتستخدم ك amplifier لل اشاراه او لتصحيح مصارها

NPN (س م س) المقحل من النوع السالب ويعنى منطقة من النوع السالب يليها منطقة من النوع الموجب يليها منطقة من النوع السالب

PNP (م س م) المقحل من النوع الموجب ويعنى منطقة من النوع الموجبة يليها منطقة من النوع السالب يليها منطقة من النوع المو

1- الترانزستور ثنائي القطبية

2- ترانزستور موسفيت

3- ترانزستور احادي الوصلة

4- الترانزستور الضوئي

 

 

استخداماتها

 

يستخدم كمفتاح توصيل

2- يستخدم كمكبر

3- يستخدم لتثبيت التيار

موسفت، JFET، IGBT، الترانزستور ثنائي القطب، G-الترانزستور، الترانزستور قاعدة مزدوجةنستخدم الترانزستور في المحولات والمحولات وإمدادات الطاقةومكبرات الصوت وإشارة الفيديو، والإشارات الصوتية، مولدات إشارة الخ ....